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国产芯片替代:中微爱芯霍尔开关传感器——AiP2010

市场与营销 发表于 2021-9-2 16:27:05 浏览 ( )
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。

当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。

霍尔开关属于有源电磁转换器件,它是在霍尔效应原理基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可以检测磁场及其变化,把磁输入信号转化为实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用的易操作和可靠性要求。它具有无触点、低功耗、长使用寿命、响应频率高等特点。

中微爱芯AiP2010是一款互补输出的霍尔器件的开关传感器,主要应用于双线圈直流无刷电机的NMOS管驱动。电路内部集成有带隙基准、HALL器件、运放、回差控制比较器和具有100mA灌电流能力的集电极开路输出,电路还集成保护稳压二极管,防止驱动电机时的反冲电压对电路造成损坏。

主要特点

●较宽的工作电压范围:3.0V~20V

●门驱动电压范围:3.5V~20V

●具有高性能的温度补偿

●内部集成保护稳压二极管

●低功耗

●具有较快的导通截止时间且很稳定

●封装形式:SIP4L

功能框图

AiP2010通过内部转换器产生2.6V左右的内部电源,给霍尔传感器、放大器和回差比较器使用。霍尔传感器感应磁通量的大小,产生差分电压信号,该信号被放大后经过电压比较器输出,最终通过两路互补的集电极开路NPN管输出。

引脚排列

典型应用

输出特性

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